54兆ウォン、米ドルに換算すると381億ドル。これがSK Hynixが今回投じる金額だ。内訳は2つに分かれる。352兆ウォン(249億ドル)は京畿道龍仁(Yongin)の工場に投資され、HBMおよびその他のDRAM製品を専門に生産する。191兆ウォン(132億ドル)は忠清北道清州(Cheongju)の拠点に充てられ、NANDフラッシュストレージチップを製造する。最初のクリーンルームが稼働し量産を開始するのは、早くても2029年6月の予定だ。
SK Hynixはサムスンに次ぐ世界第2位のRAM・NANDメーカーだ。公式のコメントは「市場の成長スピードに合わせた決定であり、市場需要を十分に検討した上でこの投資判断を下した」というもの――広報文らしい響きだが、その裏にあるロジックはシンプルだ。AIデータセンター向けのメモリ需要がサプライチェーン全体を限界まで圧迫しており、サムスン、SK Hynix、Micronといったメーカーはこの波に乗って莫大な利益を上げている。その代償として、スマートフォン、ゲーム機、PCの価格は上昇の一途を辿っている。






